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Componentes Electrónicos DPAK, Servicio Integral Original, Transistor MOSFET de Potencia N-Channel TK4P60D RQ PB-F DP

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1-1,999 unidades
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≥2,000 unidades

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Características principales

Número de Modelo

TK4P60D,RQ

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

Canal N

Embalaje

DPAK, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)

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Características clave

Número de Modelo
TK4P60D,RQ
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Canal N
Embalaje
DPAK, Tape & Reel (TR), Cinta cortada (CT)
tipo4
FETs individuales, MOSFETs
Descripción
TRANSISTOR MOSFET DE POTENCIA PB-F DP(
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Tensión drenador-fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25C
4A (Ta)
Tensión de accionamiento (Rds On máx., Rds On mín.)
10V
Rds On (máx.) @ Id, Vgs
1.7Ohm @ 2A, 10V

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
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1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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