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Módulo de Memoria DS1250Y-100 32 DIP, Compre Componentes Electrónicos en Línea, Servicio Original Integral

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Atributos

DS1250Y-100Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 32 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 4MBIT PARALELO 32EDIP
Organización de Memoria:512 mil x 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Número de Modelo
DS1250Y-100
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 32 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 4MBIT PARALELO 32EDIP
Organización de Memoria
512 mil x 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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100 - 3099 unidades
EUR 0.5148
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