





Atributos
DS1258Y-100#Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 40 (0,610", 15,495 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 2MBIT PARALELO 40EDIP
Organización de Memoria:128K por 16
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos














