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DS1258Y-100 # Módulo de Memoria de 40 DIP, Comprar en Línea, Componentes Electrónicos, Distribuidor Autorizado

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Atributos

DS1258Y-100#Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 40 (0,610", 15,495 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 2MBIT PARALELO 40EDIP
Organización de Memoria:128K por 16
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos

Características clave

Número de Modelo
DS1258Y-100#
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 40 (0,610", 15,495 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 2MBIT PARALELO 40EDIP
Organización de Memoria
128K por 16
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripciónes de los productos del proveedor

9 - 3008 unidades
EUR 2101
>= 3009 unidades
EUR 1051

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