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KAILIYUAN TECHNOLOGY INTERNATIONAL CO., LIMITED
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DS1270AB-70IND 36 DIP Módulo de Memoria, Componentes Electrónicos de Circuito, En Stock

Sin reseñas
EUR 0.5303
100-3,099 unidades
EUR 0.2697
≥3,100 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1270AB-70IND

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

16Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 16Mbit paralelo 36EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1270AB-70IND
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
16Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 16Mbit paralelo 36EDIP
Tipo de embajaje
Tubo
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 36 pines (0.610", 15.49mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.75V ~ 5.25V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
2M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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