DS1270W-100IND # Módulo de Memoria de 36 DIP, Chips Electrónicos, Componente Original, Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
DS1270W-100IND#Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 36 (0,610", 15,49 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 16MBIT PARALELO 36EDIP
Organización de Memoria:2M por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos
Características clave
Número de Modelo
DS1270W-100IND#
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 36 (0,610", 15,49 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 16MBIT PARALELO 36EDIP
Organización de Memoria
2M por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.4677
>= 3,100 unidades
EUR 0.2339
Variantes
ElegirCaracterísticas
DS1270W 100 unidades #
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