DS1330WP-100IND+ 34 Módulo PowerCap Componente Electrónico de Memoria Distribuidor Autorizado
Sin reseñas
Atributos
Componente y PiezaTipo
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
TuboTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito integrado de chip de componente electrónico ICCaracterísticas
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:100 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
256 kilobit
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Tubo
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
32K por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
40 - 3039 unidades
EUR 1029
>= 3040 unidades
EUR 515
Variantes
ElegirEspecificación
DS1330WP 100 unidades
Envío
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