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Principales mercados: Estados Unidos de América, República de Corea, India, Argentina, Líbano

Transistores EPC2001C, Componente Electrónico BOM IC, en Stock

Sin reseñas
EUR363
100-3,099 unidades
EUR182
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

EPC2001C

Marca

Original

Descripción

GANFET N-CH 100V 36A CONTORNO DEL DIE

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

Matriz

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
EPC2001C
Marca
Original
Descripción
GANFET N-CH 100V 36A CONTORNO DEL DIE
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
Matriz
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Serie
eGaN
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
36A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
7mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
900 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
5V
Vgs (Max)
+6V, -4V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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