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Productos Semiconductores Discretos, Transistores FET, MOSFET, FETs Individuales, MOSFET SiC 1000V 65 MOhm G3 SiC MOSFET TO-247-4 C3M0065100K

Sin reseñas
EUR 10.66
1-9 unidades
EUR 8.88
10-99 unidades
EUR 8
≥100 unidades
Características

Características principales

Número de pieza del fabricante

C3M0065100K

Tipo

MOSFET

Marca

Original factory

Tipo de paquete

TO-247-4

Descripción

MOSFETs de SiC 1000V 65 mOhm G3 MOSFET de SiC TO-247-4

Lugar del origen

Other

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Características clave

Número de pieza del fabricante
C3M0065100K
Tipo
MOSFET
Marca
Original factory
Tipo de paquete
TO-247-4
Descripción
MOSFETs de SiC 1000V 65 mOhm G3 MOSFET de SiC TO-247-4
Lugar del origen
Original
PAQUETE/cubierta
TO-247-4
Temperatura de funcionamiento
-55.C ~ 150.C (TJ)
Serie
C3M
Código de fecha de fabricación
23+
Uso
Energía renovable/Cargadores de baterías para vehículos eléctricos
Poder-Max
113.5W (Tc)
FET característica
Canal N
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
35 A(Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
15V
Vgs (th) (Max) @ Id
78mOhm @ 20A 15V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
3.5V@5mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
35nC@15V
Tipo de montaje
-2-Orificio pasante, Montaje en superficie
Categorías
Componentes electrónicos
Condición
Nuevo y original 100%
Servicio de Tecnología Angel
Ofrecemos un servicio integral para componentes electrónicos
Productos principales de ICschip
ICs, conectores, relés, fusibles, resistencias, condensadores

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
17X17X9 cm
Peso bruto
0.500 kg

Tiempo de entrega

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