Transistores Semiconductores Discretos CGHV96130F RF MOSFET HEMT 40V 440217, Stock Electrónico
Puntuación de la tienda:
4.7
(22 reseñas)






Atributos
Transistores JFET de RFTipo
Sistemas de RadarUso
Montaje superficialTipo de paquete
Montaje superficialTipo de montaje
CGHV96130FFET característica
CGHV96130FConfiguración
Número de pieza del fabricante:CGHV96130F
Marca:Story
Descripción:RF MOSFET HEMT 40V 440217
Lugar del origen:China
PAQUETE/cubierta:CGHV96130F
Serie:cghv HEMT
Código de fecha de fabricación:OTROS
Tipo de Proveedor:Agencia
Referencia cruzada:hoja de datos
Los medios disponibles:Hoja de Datos
Corriente de colector (Ic) (máx.):CGHV96130F
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.):CGHV96130F
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic:CGHV96130F
Corriente de colector de corte (Max):CGHV96130F
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce:CGHV96130F
Poder-Max:CGHV96130F
-Frecuencia de transición:CGHV96130F
Resistencia Base (R1):CGHV96130F
Resistencia-emisor Base (R2):CGHV96130F
FET tipo:GaN HEMT
Tensión de drenador a fuente (Vdss):CGHV96130F
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C:V
Rds (Max) @ Id Vgs:V
Vgs (th) (Max) @ Id:V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs:V
Frecuencia:V
Corriente nominal (en amperios):12A
Ruido:CGHV96130F
Potencia de salida:CGHV96130F
-Tensión nominal:CGHV96130F
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds):CGHV96130F
Vgs (Max):CGHV96130F
Tipo IGBT de:CGHV96130F
Vce (on) (Max) @ Vge Ic:CGHV96130F
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce:CGHV96130F
De entrada:CGHV96130F
Termistor NTC:CGHV96130F
-Tensión de distribución (V (BR) GSS):CGHV96130F
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0):CGHV96130F
Corriente de drenaje (Id).:CGHV96130F
-Tensión de corte (VGS) @ Id:CGHV96130F
Resistencia-On (RDS):CGHV96130F
Tensión de salida-salida:CGHV96130F
-Tensión Offset (Vt):CGHV96130F
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao):CGHV96130F
Corriente de Valle Iv):CGHV96130F
Corriente de pico:CGHV96130F
Tipo de Transistor:CGHV96130F
Aplicación:Radar marino
Características clave
Tipo
Transistores JFET de RF
Uso
Sistemas de Radar
Tipo de paquete
Montaje superficial
Tipo de montaje
Montaje superficial
FET característica
CGHV96130F
Configuración
CGHV96130F
Los medios disponibles
Hoja de Datos
Tipo de Proveedor
Agencia
Poder-Max
CGHV96130F
PAQUETE/cubierta
CGHV96130F
Descripción
RF MOSFET HEMT 40V 440217
Número de pieza del fabricante
CGHV96130F
Marca
Story
Lugar del origen
China
Serie
cghv HEMT
Código de fecha de fabricación
OTROS
Referencia cruzada
hoja de datos
Corriente de colector (Ic) (máx.)
CGHV96130F
Tensión de ruptura colector-emisor (máx.)
CGHV96130F
Vce de saturación (Max) @ Ib Ic
CGHV96130F
Corriente de colector de corte (Max)
CGHV96130F
Ganancia de corriente DC (hFE) (mín.) @ Ic Vce
CGHV96130F
-Frecuencia de transición
CGHV96130F
Resistencia Base (R1)
CGHV96130F
Resistencia-emisor Base (R2)
CGHV96130F
FET tipo
GaN HEMT
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
CGHV96130F
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
V
Rds (Max) @ Id Vgs
V
Vgs (th) (Max) @ Id
V
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
V
Frecuencia
V
Corriente nominal (en amperios)
12A
Ruido
CGHV96130F
Potencia de salida
CGHV96130F
-Tensión nominal
CGHV96130F
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
CGHV96130F
Vgs (Max)
CGHV96130F
Tipo IGBT de
CGHV96130F
Vce (on) (Max) @ Vge Ic
CGHV96130F
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
CGHV96130F
De entrada
CGHV96130F
Termistor NTC
CGHV96130F
-Tensión de distribución (V (BR) GSS)
CGHV96130F
Corriente de drenaje (IDS) @ Vds (Vgs = 0)
CGHV96130F
Corriente de drenaje (Id).
CGHV96130F
-Tensión de corte (VGS) @ Id
CGHV96130F
Resistencia-On (RDS)
CGHV96130F
Tensión de salida-salida
CGHV96130F
-Tensión Offset (Vt)
CGHV96130F
Actual-puerta a ánodo fugas (Igao)
CGHV96130F
Corriente de Valle Iv)
CGHV96130F
Corriente de pico
CGHV96130F
Tipo de Transistor
CGHV96130F
Tipo de montaje
Montaje superficial
Aplicación
Radar marino
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
24X18X16 cm
Peso bruto
0.900 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
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