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NELCOM INTERNATIONAL LIMITED
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BOM IC DRAM 4GBIT PARALELO 216WFBGA, 1, 2, 2, 1, 2, 2

Sin reseñas
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Características principales

Marca

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Número de pieza del fabricante

EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Tipo

Volátil

Tipo de montaje

Montaje en superficie

Lugar del origen

Taiwan, China

Descripción

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA

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Características clave

Tipo de montaje
Montaje en superficie
Tipo
Volátil
Número de pieza del fabricante
EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Marca
EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Lugar del origen
Taiwan, China
Descripción
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 216WFBGA
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Función
Memoria
Aplicación
Memoria
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
216-WFBGA
Serie
-
Características
-
Referencia cruzada
-
Química de la batería
Estándar
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 20V
Formato de memoria
DRAM
Tamaño de memoria
4Gbit
Organización de la memoria
64M x 64
Interfaz de memoria
Paralelo
Frecuencia de reloj
533 MHz
Tiempo de ciclo de escritura - palabra/página
-
Tiempo de acceso
-
Tensión - Alimentación
1.14V ~ 1.95V
Tecnología
SDRAM - LPDDR2 móvil
Garantía
Un año

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
1.000 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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