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Componente de Chips Electrónicos EDF8164A3MA-GD-F-R TR, Memoria Original

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Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico Bom Service
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación:1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:800 megahercios
Organización de la memoria:128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
8 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componente Electrónico Bom Service
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación
1,14 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj
800 megahercios
Organización de la memoria
128M por 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
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