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Componentes Electrónicos EDF8164A3MD-GD-F-R Memoria Comprar en Línea BOM IC en Stock

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Código de fecha de fabricación

NUEVO

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

EDF8164A3MD-GD-F-R

Tipo de montaje

-

Tamaño de la memoria

8Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 8Gbit paralelo 800MHz

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
EDF8164A3MD-GD-F-R
Tipo de montaje
-
Tamaño de la memoria
8Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 8Gbit paralelo 800MHz
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
800 MHz
Organización de la memoria
128M x 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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