Componentes Electrónicos de Memoria EDF8164A3MD-GD-F-R en Stock
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Atributos
SDRAM - LPDDR3 móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128M x 64Organización de la memoria
-Tipo de montaje
EDF8164A3MD-GD-F-RNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:8Gbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC DRAM 8Gbit paralelo 800MHz
Tipo de embajaje:A granel
Temperatura de funcionamiento:-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta:-
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj:800 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:DRAM
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128M x 64
Tipo de montaje
-
Número de pieza del fabricante
EDF8164A3MD-GD-F-R
Marca
Original
Tamaño de la memoria
8Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 8Gbit paralelo 800MHz
Tipo de embajaje
A granel
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
800 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100-3,099 unidades
EUR 0.6697
≥3,100 unidades
EUR 0.3392
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
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