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Componente de Chips Electrónicos, Módulo DIP 28, Memoria DS1230Y-X15, Canal del Fabricante

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Atributos

DS1230Y-X15Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:SRAM NO VOLÁTIL DE 3,3 VOLTIOS, 256 K
Organización de Memoria:32K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:150 nanos
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg

Características clave

Número de Modelo
DS1230Y-X15
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
SRAM NO VOLÁTIL DE 3,3 VOLTIOS, 256 K
Organización de Memoria
32K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
150 nanos

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

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258 - 3257 unidades
EUR 0.497
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