Componente de Chips Electrónicos, Módulo DIP 28, Memoria DS1230Y-X15, Canal del Fabricante
Componente de Chips Electrónicos, Módulo DIP 28, Memoria DS1230Y-X15, Canal del FabricanteSin reseñas
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
MemoriaAplicación funcional
DS1230Y-X15Número de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:SRAM NO VOLÁTIL DE 3,3 VOLTIOS, 256 K
Organización de Memoria:32K por 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:150 nanos
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Memoria
Número de Modelo
DS1230Y-X15
Lugar del origen
China
Marca
Original
Empaque
Módulo DIP 28 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
SRAM NO VOLÁTIL DE 3,3 VOLTIOS, 256 K
Organización de Memoria
32K por 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
150 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Devolución fácil
258 - 3,257 unidades
EUR 0.5066
>= 3,258 unidades
EUR 0.2533
Variantes
ElegirCaracterísticas
DS1230YX15
Envío
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