Componente de Chips Electrónicos, Módulo DIP 32, DS1250Y-100+, Memoria Original, Servicio Integral
Sin reseñas
Atributos
DS1250Y-100+Número de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
MemoriaAplicación funcional
Módulo DIP 32 (0,600", 15,24 mm)Empaque
Serie:Memoria
describir:IC NVSRAM 4MBIT PARALELO 32EDIP
Organización de Memoria:512 mil x 8
Interfaz de Memoria:Paralelo
Frecuencia del Reloj:-
Tiempo de Acceso:100 nanos
Características clave
Número de Modelo
DS1250Y-100+
Tipo de montaje
A través del agujero
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
Memoria
Empaque
Módulo DIP 32 (0,600", 15,24 mm)
Serie
Memoria
describir
IC NVSRAM 4MBIT PARALELO 32EDIP
Organización de Memoria
512 mil x 8
Interfaz de Memoria
Paralelo
Frecuencia del Reloj
-
Tiempo de Acceso
100 nanos
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
1 - 3000 unidades
EUR 5967
>= 3001 unidades
EUR 2984
Variantes
ElegirCaracterísticas
DS1250Y 100+
Envío
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