





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1.152 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:1T-SRAM
-Tensión de alimentación:1 voltio
Frecuencia de reloj:1,25 GHz
Organización de la memoria:16M por 72
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo













