Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
2 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, Sincrónico
-Tensión de alimentación:3,135 V ~ 3,465 V
Frecuencia de reloj:167 megahercios
Organización de la memoria:64K por 36
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
