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Componente de Chips Electrónicos CY7C1079DV33-12BAXI 48 TFBGA Memoria Original

Sin reseñas

Atributos

Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
32 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación:3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:4M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:12 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Código de fecha de fabricación
Nuevo
Tamaño de la memoria
32 megabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Bandeja
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SRAM - Asíncrono
-Tensión de alimentación
3V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
4M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
12 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
5 - 3004 unidades
EUR 4922
>= 3005 unidades
EUR 2461

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