Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 kilobitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Doble Puerto, MoBL
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V, 2,4 V ~ 2,6 V, 3 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:16 mil x 16
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:55 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
