Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
1 gigabitTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NO (SLC)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:128M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S octal, DTR
