Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
8 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Accesorios para Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:PSRAM (Pseudo SRAM)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:104 megahercios
Organización de la memoria:1M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI, QPI
