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Componentes Electrónicos, Chips IXTX6N200P3HV TO-247PLUS-HV, Transistores en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

IXTX6N200P3HV

Marca

Original

Descripción

MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

TO-247PLUS-HV

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
IXTX6N200P3HV
Marca
Original
Descripción
MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
TO-247PLUS-HV
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
Polar P3
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
2000 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
6A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
4 ohmios a 3 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
3700 pF @ 25 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
A través del agujero
Embalaje
Tubo
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores