Electronic Chips Component MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A Discrete Semiconductor Products BOM IC In Stock
Electronic Chips Component MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A Discrete Semiconductor Products BOM IC In StockSin reseñas
Atributos
A través del agujeroTipo de montaje
Discrete SemiconductorAplicación funcional
PS12013-ANúmero de Modelo
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
36-PowerDIP Module (3.100", 78.75mm)Package / Case
Description:MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A
Package:Bulk
Type:IGBT
Configuration:3 Phase
Current:5 A
Voltage - Isolation:2500Vrms
Características clave
Tipo de montaje
A través del agujero
Aplicación funcional
Discrete Semiconductor
Número de Modelo
PS12013-A
Lugar del origen
China
Marca
Original
Package / Case
36-PowerDIP Module (3.100", 78.75mm)
Description
MOD IPM 3PHASE IGBT 1200V 5A
Package
Bulk
Type
IGBT
Configuration
3 Phase
Current
5 A
Voltage - Isolation
2500Vrms
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5568
>= 3,100 unidades
EUR 0.2827
Variantes
ElegirCaracterísticas
PS12013-A
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