Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Chips Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Estándar
-Tensión de alimentación:3,135V ~ 3,6V
Frecuencia de reloj:100 megahercios
Organización de la memoria:128K por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
