





Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Kit de Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SGRAM - GDDR5
-Tensión de alimentación:1,31 V ~ 1,65 V
Frecuencia de reloj:2 gigahercios
Organización de la memoria:128M por 32
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo














