Componente de Chip Electrónico, Memoria 200 TFBGA MT53E512M32D2FW-046 AUT:D TR, Canal del Fabricante
Puntuación de la tienda:
4.5
(2 reseñas)
Atributos
SDRAM - LPDDR4X móvilLa tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
512M por 32Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
16 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
512M por 32
Tipo
Componente y Pieza
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Lugar del origen
China
Tamaño de la memoria
16 gigabits
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
100 - 3,099 unidades
EUR 0.5169
>= 3,100 unidades
EUR 0.2585
Variantes
ElegirEspecificación
MT53E512M32D2FW 046 AUT: D TR
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