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Componentes Electrónicos, Memoria, Módulo DIP 36, DS1270AB-100, BOM IC, En Stock

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Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1270AB-100

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

16Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 16Mbit paralelo 36EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1270AB-100
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
16Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 16Mbit paralelo 36EDIP
Tipo de embajaje
Tubo
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 36 pines (0.610", 15.49mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.75V ~ 5.25V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
2M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
100ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

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Artículo individual
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1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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