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Componente de Chip Electrónico, Memoria 556 TFBGA MT53E768M64D4HJ-046 AIT:B TR, Canal del Fabricante

Sin reseñas

Atributos

Componente y PiezaTipo
48 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Circuito integrado de chip de componente electrónico ICCaracterísticas
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación:1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj:2,133 GHz
Organización de la memoria:768 millones x 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:18 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo

Características clave

Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
48 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR4X móvil
-Tensión de alimentación
1,06 V ~ 1,17 V
Frecuencia de reloj
2,133 GHz
Organización de la memoria
768 millones x 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
18 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores
Devolución fácil
2,000 - 4,999 unidades
EUR 1781
>= 5,000 unidades
EUR 891

Variantes

Elegir

Especificación

MT53E768M64D4HJ 046 AIT:B TR

Envío

Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
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