Componente de Chip Electrónico, Memoria 60 TFBGA MT47H128M4SH-25E:H TR Original
Sin reseñas
Atributos
SDRAM - DDR2La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
128M x 4 millonesOrganización de la memoria
Componente y PiezaTipo
512 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y Carrete (TR)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15 segundos
Interfaz de Memoria:Paralelo
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
128M x 4 millones
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
512 Mbits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y Carrete (TR)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos IC
-Tensión de alimentación
1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj
400 megahercios
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15 segundos
Interfaz de Memoria
Paralelo
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,000 - 4,999 unidades
EUR 1.99
>= 5,000 unidades
EUR 0.9949
Variantes
ElegirEspecificación
MT47H128M4SH 25E:H TR
Envío
Tarifa de envío y fecha de entrega por definir. Chatea con el proveedor para confirmar los detalles.
4 pagos sin intereses con
Protección de pedidos de Alibaba.com
Pagos seguros
Todos tus pagos realizados en Alibaba.com están protegidos por cifrado SSL y protocolos de protección de datos PCI DSS
Devoluciones fáciles
Realiza devoluciones locales gratuitas por defectos en compras elegibles
Garantía de devolución de dinero
Solicita un reembolso si tu pedido no se envía, no llega o hay defectos en el producto
Solo los pedidos realizados y pagados a través de Alibaba.com reciben la protección gratuita de
