Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
A granelTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,95 V
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
