Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componentes de Circuitos Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:1,65 V ~ 2 V
Frecuencia de reloj:133 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg
