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Componentes Electrónicos, Chip RS6P100BHTB1, Transistores 8-HSOP, BOM IC, en Stock

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≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

RS6P100BHTB1

Marca

Original

Descripción

NCH 100V 100A, HSOP8, MOSFET DE POTENCIA

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-HSOP

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
RS6P100BHTB1
Marca
Original
Descripción
NCH 100V 100A, HSOP8, MOSFET DE POTENCIA
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-HSOP
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
100 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
5.9mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
2880 pF @ 50 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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