Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito integrado de chip de componente electrónico IC
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (SLC)
-Tensión de alimentación:-
Frecuencia de reloj:-
Organización de la memoria:512M x 8 millones
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:-
