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Componentes Electrónicos, Transistores 8-DFN GPI65060DFC en Stock

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100-3,099 unidades
EUR998
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

GPI65060DFC

Marca

Original

Descripción

GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-DFN (8x8)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
GPI65060DFC
Marca
Original
Descripción
GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-DFN (8x8)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
650 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
60A
Rds (Max) @ Id Vgs
30mOhm @ 6A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.2V @ 3.5mA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
16 nC @ 6 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
420 pF @ 400 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
6V
Vgs (Max)
+7.5V, -12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
GaNFET (nitruro de galio)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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