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Componentes Electrónicos, Transistores DFNWB2x2-6L-J CMSP2011A6-HF, Distribuidor Autorizado

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Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

CMSP2011A6-HF

Marca

Original

Descripción

MOSFET P-CH 20V 11A 6DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

DFNWB2x2-6L-J

Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
CMSP2011A6-HF
Marca
Original
Descripción
MOSFET P-CH 20V 11A 6DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
DFNWB2x2-6L-J
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
P-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
11A (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
24 mOhmios a 7,2 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1580 pF @ 6 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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