





Atributos
PSMN7R8-120ESQNúmero de Modelo
A través del agujeroTipo de montaje
ChinaLugar del origen
OriginalMarca
FETs, MOSFETsAplicación funcional
I2PAKPackage / Case
Description:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Package:Bulk
FET Type:N-Channel
Technology:MOSFET (Metal Oxide)
Unidades de venta:Artículo individual
Tamaño del paquete:1X1X1 cm
Peso bruto:0.100 kg














