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Componentes Electrónicos, Transistores SOT-23 G2312, Circuito Integrado en Stock

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Número de pieza del fabricante

G2312

Marca

Original

Descripción

N20V,RD(MÁX)<18M@10V,RD(MÁX)<20M

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

SOT-23

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
G2312
Marca
Original
Descripción
N20V,RD(MÁX)<18M@10V,RD(MÁX)<20M
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
SOT-23
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
TrenchFET
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
17mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
830 pF @ 10 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Cinta cortada (CT)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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