Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
256 MbitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Componente Electrónico
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:Flash - NAND
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:80 megahercios
Organización de la memoria:32M por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:SPI - E/S cuádruples, QPI, DTR
