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Componentes Electrónicos, Chips X2-DFN1010-4 DMN65D7LFR4-7, Transistores BOM IC en Stock

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Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN65D7LFR4-7

Marca

Original

Descripción

MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

X2-DFN1010-4 (Tipo B)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMN65D7LFR4-7
Marca
Original
Descripción
MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1010
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
X2-DFN1010-4 (Tipo B)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
FET tipo
N-Channel
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
60 V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
260mA (Ta)
Rds (Max) @ Id Vgs
5 ohmios a 40 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
1.04 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
41 pF @ 30 V
Unidad de tensión (Max Rds en Min Rds)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Tipo de FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg

Tiempo de entrega

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