Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
32 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado Chip
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FLASH - NAND (pSLC)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:200 megahercios
Organización de la memoria:4G por 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:eMMC_5.1
