Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
36 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
BandejaTipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuitos Integrados
Tipo de memoria:VOLÁTIL
La tecnología:SRAM - Sincrónico, QDR II
-Tensión de alimentación:1,7 V ~ 1,9 V
Frecuencia de reloj:333 megahercios
Organización de la memoria:4M por 9
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:Paralelo
