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Componentes de Circuitos Electrónicos, Módulo DIP 36, Memoria DS1265Y-70, Servicio Integral Original

Sin reseñas
EUR7149
3-3,002 unidades
EUR3575
≥3,003 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

DS1265Y-70

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tamaño de la memoria

8Mbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC NVSRAM 8Mbit paralelo 36EDIP

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
DS1265Y-70
Tipo de montaje
Orificio pasante
Tamaño de la memoria
8Mbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC NVSRAM 8Mbit paralelo 36EDIP
Tipo de embajaje
Tubo,Tubo
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
PAQUETE/cubierta
Módulo DIP de 36 pines (0.610", 15.49mm)
Serie
-
Tipo de memoria
No volátil
La tecnología
NVSRAM (SRAM no volátil)
-Tensión de alimentación
4.5V ~ 5.5V
Frecuencia de reloj
-
Organización de la memoria
1M x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
70ns
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
NVSRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

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