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Componentes de circuitos electrónicos 6-UFDFN Exposed Pad DMN2008LFU-7 Transistores Canal del fabricante

Sin reseñas
EUR 0.5678
100-3,099 unidades
EUR 0.2884
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

DMN2008LFU-7

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

6-UFDFN con almohadilla expuesta

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
DMN2008LFU-7
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
6-UFDFN con almohadilla expuesta
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
1W
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
20V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
14.5A
Rds (Max) @ Id Vgs
5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250A
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
42.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
1418pF @ 10V
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Drenaje común de canal N (doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

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