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Componentes de Circuitos Electrónicos, Transistores 8-PowerTDFN NTMFD5C478NLT1G, Distribuidor Autorizado

Sin reseñas
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100-3,099 unidades
EUR 0.4865
≥3,100 unidades

Cantidad

Características principales

Número de pieza del fabricante

NTMFD5C478NLT1G

Marca

Original

Descripción

MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN

Lugar del origen

China

PAQUETE/cubierta

8-PowerTDFN

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Características clave

Número de pieza del fabricante
NTMFD5C478NLT1G
Marca
Original
Descripción
MOSFET 2N-CH 40V 9.8A 8DFN
Lugar del origen
China
PAQUETE/cubierta
8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Serie
-
Código de fecha de fabricación
NUEVO
Poder-Max
3.1W (Ta), 23W (Tc)
FET característica
-
Tensión de drenador a fuente (Vdss)
40V
Corriente de drenaje continua (Id) @ 25 °C
9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds (Max) @ Id Vgs
17mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 20µA
La puerta de carga (Qg) a (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ (Vds)
325pF @ 25V
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Embalaje
Tape & Reel (TR), cinta cortada (CT), Digi-Reel
Tecnología
MOSFET (Óxido Metálico)
Configuración
2 Canales N (Doble)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

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