Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
16 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Circuito Integrado (IC)
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:MRAM (RAM magnetoresistiva)
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:54 megahercios
Organización de la memoria:4M por 4
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie
