Componentes de Circuitos Electrónicos 8 UDFN MT29F4G01ABAFDWB-IT:F Memoria TR en Existencia
Puntuación de la tienda:
4.6
(3 reseñas)
Atributos
FLASH - NAND (SLC)La tecnología
No volátilTipo de memoria
4G por 1Organización de la memoria
Componente y PiezaTipo
4 gigabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación:Memoria
Características:Componentes Electrónicos Circuito Integrado
-Tensión de alimentación:2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj:-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie
Características clave
La tecnología
FLASH - NAND (SLC)
Tipo de memoria
No volátil
Organización de la memoria
4G por 1
Tipo
Componente y Pieza
Tamaño de la memoria
4 gigabits
Lugar del origen
China
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR), cinta cortada (CT)
Aplicación
Memoria
Características
Componentes Electrónicos Circuito Integrado
-Tensión de alimentación
2,7 V ~ 3,6 V
Frecuencia de reloj
-
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de Memoria
interfaz serie
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
1 - 1,999 unidades
EUR 169
>= 2,000 unidades
EUR 115
Variantes
ElegirEspecificación
MT29F4G01ABAFDWB TI: F TR
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