Componentes de Circuito Electrónico 84 TFBGA AS4C64M16D2A-25BCNTR Canal del Fabricante de Memorias
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Atributos
SDRAM - DDR2La tecnología
VOLÁTILTipo de memoria
64M x 16Organización de la memoria
Montaje en superficieTipo de montaje
AS4C64M16D2A-25BCNTRNúmero de pieza del fabricante
OriginalMarca
Tamaño de la memoria:1Gbit
Lugar del origen:China
Descripción:IC DRAM 1Gbit paralelo 84FBGA
Tipo de embajaje:Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento:0°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta:84-TFBGA
Serie:-
-Tensión de alimentación:1.7V ~ 1.9V
Frecuencia de reloj:400 MHz
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:15ns
Interfaz de memoria:Paralelo
Formato de memoria:DRAM
Características clave
La tecnología
SDRAM - DDR2
Tipo de memoria
VOLÁTIL
Organización de la memoria
64M x 16
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Número de pieza del fabricante
AS4C64M16D2A-25BCNTR
-Tensión de alimentación
1.7V ~ 1.9V
Descripción
IC DRAM 1Gbit paralelo 84FBGA
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
15ns
Frecuencia de reloj
400 MHz
Lugar del origen
China
Marca
Original
PAQUETE/cubierta
84-TFBGA
Serie
-
Tamaño de la memoria
1Gbit
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 85°C (TC)
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM
Empaque y entrega
Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete por lote
1X1X1 cm
Peso bruto por lote
0.100 kg
Tiempo de entrega
Descripción de producto del proveedor
Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidoresVer más
2,500 - 5,499 unidades
EUR 223
>= 5,500 unidades
EUR 112
Variantes
ElegirCódigo de fecha de fabricación
NUEVO
Envío
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