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Electronic Circuit Components Authorized Distributor IGLD60R190D1AUMA3 PG-LSON-8-1 Transistors

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Características

IGLD60R190D1AUMA3

Características principales

Número de Modelo

IGLD60R190D1AUMA3

Tipo de montaje

Montaje superficial

Lugar del origen

China

Marca

Original

Aplicación funcional

FETs, MOSFETs

Package / Case

PG-LSON-8-1

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Características clave

Número de Modelo
IGLD60R190D1AUMA3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Lugar del origen
China
Marca
Original
Aplicación funcional
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-LSON-8-1
Description
GAN HV
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
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