Atributos
Componente y PiezaTipo
NuevoCódigo de fecha de fabricación
4 megabitsTamaño de la memoria
ChinaLugar del origen
Cinta y Carrete (TR)Tipo de embajaje
MemoriaAplicación
Características:Partes y Componentes Electrónicos
Tipo de memoria:No volátil
La tecnología:FRAM (RAM Ferroeléctrica)
-Tensión de alimentación:1,71 V ~ 1,89 V
Frecuencia de reloj:20 megahercios
Organización de la memoria:512 mil x 8
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página:-
Interfaz de Memoria:interfaz serie
