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Componentes de Circuito Electrónico EDF8164A3PF-JD-F-R, Memoria TR, Canal del Fabricante

Sin reseñas
EUR 4.07
1,000-3,999 unidades
EUR 2.05
≥4,000 unidades
Código de fecha de fabricación

Características principales

Marca

Original

Número de pieza del fabricante

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

Tipo de montaje

-

Tamaño de la memoria

8Gbit

Lugar del origen

China

Descripción

IC DRAM 8Gbit paralelo 933MHz

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Características clave

Marca
Original
Número de pieza del fabricante
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Tipo de montaje
-
Tamaño de la memoria
8Gbit
Lugar del origen
China
Descripción
IC DRAM 8Gbit paralelo 933MHz
Tipo de embajaje
Cinta y carrete (TR)
Temperatura de funcionamiento
-30°C ~ 85°C (TC)
PAQUETE/cubierta
-
Serie
-
Tipo de memoria
VOLÁTIL
La tecnología
SDRAM - LPDDR3 móvil
-Tensión de alimentación
1.14V ~ 1.95V
Frecuencia de reloj
933 MHz
Organización de la memoria
128M x 64
Escribir el tiempo de ciclo-Palabra, Página
-
Interfaz de memoria
Paralelo
Formato de memoria
DRAM

Empaque y entrega

Unidades de venta
Artículo individual
Tamaño del paquete
1X1X1 cm
Peso bruto
0.1 kg

Tiempo de entrega

Descripción de producto del proveedor

Advertencia/Descargo de responsabilidad
Advertencia de la Proposición 65 de California para consumidores